Биполярный германиевый транзистор ГТ701А

Рис.1. Внешний вид и цоколевка транзистора ГТ701А.
ГТ701А - Транзистор германиевый сплавной структуры p-n-p универсальный.
Область применения: для применения в системах зажигания и преобразователях напряжения. Допускается применять в условиях импульсных перегрузок по напряжению и мощности.
Выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Технические характеристики биполярного транзистора ГТ701А
| Параметр | Обозначение | Еди- ница |
Тип транзистора | |||||||
| ГТ701А | ||||||||||
| Обратный ток коллектора при UКБ, В*1 | IКБО | мА | 6/60 | |||||||
| Обратный ток эмиттера при UЭБ, В*1 | IЭБО | мА | - | |||||||
| Режим измерения h-параметров | ||||||||||
| напряжение коллектора |
UК | В | 2 | |||||||
| ток коллектора | IК | мА | 5 | |||||||
| Коэффициент передачи тока | h21э | - | ≥10 | |||||||
| Граничная частота коэффициента передачи | fгр | кГц | 50 | |||||||
| Максимально допустимые параметры | ||||||||||
| постоянное напряжение коллектор-база |
UКБ max | В | - | |||||||
| постоянное напряжение коллектор-эмиттер | UKЭ max | В | 55 | |||||||
| постоянное напряжение эмиттер-база | UЭБ max | В | 15 | |||||||
| постоянный ток коллектора |
IK max | А | 12 | |||||||
| постоянный ток базы | IБ max | А | - | |||||||
| рассеиваемая мощность без теплоотвода | Рmax | Вт | - | |||||||
| рассеиваемая мощность с теплоотвода | РТmax | Вт | 50 | |||||||
| Максимальная температура окружающей среды | Tmin | °С | +70 | |||||||
| Минимальная температура окружающей среды | Tmin | °С | -55 | |||||||
| Общее тепловое сопротивление транзистора | RТ п.с | °С/мВт | - | |||||||
| внутреннее тепловое сопротивление | RТ п.к | °С/мВт | 1,2 | |||||||
| Тип перехода, материал |
p-n-p германий | |||||||||
| Основное назначение |
Для устройств зажигания двигателей | |||||||||
Зарубежный аналог: 2N2137A; 2N2138A; 2N2142A; 2N2143A; 2N5887; 2N5888; 2N5889; 2N5890; 2N5891; 2NU74; ASZ15; ASZ18
См. Советские транзисторы и их зарубежные аналоги
Каталог отечественных транзисторов и микросхем
